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首页>产品中心>LEP系列

产品概述

　　LEP（Low Efficiency Photoluminescence ）系列模块为针对原硅片PL激发效率低的特点专门研发的一体式PL成像组件，可以将原硅电池片的PL图像通过千兆网传输至PC端，用户可以利用图像识别相关技术对成像中的缺陷进行判定、识别并配合自动化进行剔除。

　　可检测的典型缺陷类型如：隐裂、崩边、黑心、同心圆、划伤、皮带痕和脏污等。

推荐产品

LEP-SJ68DCP-CV2R LEP-SJ68DCP-CV2R
LEP-SJ68BPP-CV3R LEP-SJ68BPP-CV3R
更多型号

应用场景

LEP系列为大功率激光PL
可覆盖原硅上料至分选全部工艺，尤其对原硅片的隐裂、崩边、黑心、同心圆等缺陷的成像效果明显
原硅片PL检测
制绒段
刻蚀段
丝网印刷
EL后
镀膜段

技术优势

采用一体化结构设计，能够有效帮助客户解决现场调试困扰
大功率激光PL，满足原硅片各项检测需求
本系列模块具备更高的兼容性，覆盖原硅上料至分选的全部工艺

产品列表

序号 产品型号

电池类型

工艺段

硅片尺寸

分辨率

速度

 产品规格书
搜索结果：
默认
PERC TOPCon HJT
原硅上料 制绒后 背膜后 正膜后 丝网上料 炉后 EL后
182 210 230
512 1K 2K
≥6000 ≥3600 <3600
  • 1
    LEP-SJ68DCP-CV2R
    PERC、TOPCon、HJT
    原硅上料、制绒后、背膜后、正膜后、炉后、EL后、丝网上料
    230、182、210
    1K
    ≥3600
    产品规格书
  • 2
    LEP-SJ68BPP-CV3R
    PERC、TOPCon、HJT
    原硅上料、制绒后、背膜后、正膜后、丝网上料、炉后、EL后
    210、182、230
    512
    ≥3600
    产品规格书
  • 3
    LEP-SJ68DCP-CV3R
    PERC、TOPCon、HJT
    原硅上料、制绒后、背膜后、正膜后、丝网上料、炉后、EL后
    230、182、210
    1K
    ≥3600
    产品规格书
  • 4
    LEP-SJ68BPP-CV2R
    PERC、TOPCon、HJT
    原硅上料、制绒后、背膜后、正膜后、丝网上料、炉后、EL后
    210、182、230
    512
    ≥3600
    产品规格书
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